Vejatz lo contengut

Diòde

Tièra de 1000 articles que totas las Wikipèdias deurián aver.
Aqueth article qu'ei redigit en gascon.
Un article de Wikipèdia, l'enciclopèdia liura.

Diòde de silici de joncion P-N (l'anòde es a dreta, lo catòde a esquèrra).
Representacion internacionau d'un diòde.

Un diòde es un compausant electronic. Es un dipòle electric non linear e polarizat, es a díser que lo son sens de brancament determina lo foncionament deu circuit electric on es plaçada. Shens precision particulara, un diòde es un compausant que permet lo passatge deu corrent unicament dens un sens. Lo diòde es gessit de recèrcas realizadas a la fin deu sègle XIX. La soa invencion permetó l'aparicion de l'electronica. Existeish un hum de diòdes diferents, mes despuish la Segonda Guèrra Mondiau, los diòdes de semiconductor constituïts d'una joncion P–N e los sons derivats son vadudas majoritàrias e quasi egemonicas en electronica, en electrotecnica e en esclairatge.

Istòria

[modificar | modificar lo còdi]

Los diòdes primitius

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Tube electronic.

La descobèrta deus diòdes avó lòc a la fin deu sègle XIX dens l'encastre de recèrcas suus redreçaires e sus la deteccion de las ondas ràdio. La descobèrta de l'efèit termoionic en 1873 peu fisician britanic Frederick Guthrie (1833-1886) es sovent citada com punt de partença[1], mes l'estudi deu passatge deu corrent dens un cristau de galena miada en 1874 per l'Alemand Ferdinand Braun (1850-1918) es tanben a l'origina d'òbras ulterioras importantas. Dens los dus cas, descobrín materiaus on lo passatge de l'electricitat non respectava pas la lei d'Ohm. En particular, Braun demostrè que la conduccion electrica dins la galena varia segon lo sens deu corrent aplicat[2].

Aquò miè a la concepcion deu diòde de vapor de mercuri per Peter Cooper Hewitt (1861-1921) en 1902[3] e deu tube electronic per John Ambrose Fleming (1849-1945) en 1904[4]. Aqueths compausants permetón l'aparicion de l'electronica e estón largament utilizats dinc a las annadas 1970. Totun, a tèrmi cort, la ràdio e la telegrafia shens hiu estón los dus maines d'aplicacion principaus dab l'invencion deu pòst de galena, basat sus ua fòrma primitiva de semiconductors, per Jagadish Chandra Bose (1858-1937)[5].

Los diòdes de semiconductor

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Semiconductor.

Las proprietats semiconductoras deu silici estón descobèrtas en 1906 per l'engenhaire estatsunidenc Greenleaf Whittier Pickard (1877-1956)[6]. Totun, la concepcion d'un procediment industriau de purificacion deu silici demorè un obstacle a ua utilizacion reau dinc a la Segonda Guèrra Mondiau. La concepcion e l'observacion de la prumèra joncion P-N peu fisician Russell Ohl (1898-1987), enter 1939 e 1941, estó ua estapa decisiva[7]. Los diòdes de silici e germani s'impausèn après 1945 gràcias a un còst de fabricacion mei febla. En mei, non necessitavan pas de corrent de cauhatge.

Cronologia de l'explosion deus diòdes

[modificar | modificar lo còdi]

Après la descobèrta deus diòdes de semiconductor, un nombre important de tecnologias apareishón e l'estudi deus diòdes que's dividí lèu en sosdomenis distints. Mantua descobèrta importanta es resumida dens la cronologia ací devath :

Principi e descripcion

[modificar | modificar lo còdi]

Generalitats

[modificar | modificar lo còdi]
Simbèu internacionau deu diòde, lo sens deu triangle indica lo sens possible deu passatge deu corrent.

Un diòde es un dipòle electric de semiconductor (joncion P-N) que tien dus regimes de foncionament : blocat e passant[13]. Aqueths regimes de foncionament non son pas controlables dirèctament pr'amor que dependen de la tension VAK a las bòrnas :

Dens l'encastre de l'analogia idraulica[15], lo diòde es donc assimilable a un clapet anti-retorn[16]. Dens un sens, a partir d'ua pression lindau deu fluide, lo clapet dèisha passar lo fluide mes, dens l'aute sens, lo fluide non poirà pas obrir lo clapet e passar.

Diòde ideau

[modificar | modificar lo còdi]
Caracteristicas e esquèmas equivalents d'un diòde ideau.

Lo diòde ideau (o diòde perfèit) es caracterizat per la soa tension Vlindau lindau e la soa intensitat dirècta ID. Si la tension aplicada a las bòrnas es inferiora a Vlindau, lo diòde blòca lo passatge deu corrent e es equivalent a un interruptor obèrt. Si la tension aplicada es egau o superiora a Vlindau, permet lo passatge deu corrent. Es alavetz equivalenta a un dipòle electric de tension Vlindau que dèisha passar lo corrent entrant. Si la tension lindau es nulla, lo diòde es equivalent a un simple hieu[17][18] .

Generaument, dens lo cas d'un diòde de silici, la tension lindau es egau a 0,7 V e pòt estar negligida au par de las autas tensions deu circuit[18].

Diòde reau

[modificar | modificar lo còdi]
Caracteristicas de foncionament d'un diòde reau.

Lo diòde reau es tostemps caracterizat per la tension Vlindau e l'intensitat dirècta ID. Totun, tien tanben ua resisténcia electrica intèrna e ua tension de rompedura Vrompedura[19]. Es possible de definir tres zònas de foncionament :

  • quan lo corrent circula dens lo sens passant, lo comportament es relativament similar au diòde ideau. Si la tension es inferiora a la tension lindau, lo corrent passant es quasi nul. Si la tension es superiora a la tension lindau, un corrent passa mes aumenta drin a drin dab la tension.
  • quan lo corrent circula dens lo sens blocant, lo diòde dèisha passar un corrent de hueita de quauquas µA. Aqueth regime fonciona si la tension non despassa pas la tension de rompedura.
  • quan lo corrent circula dens lo sens blocant e que la tension de rompedura es passada, lo corrent tòrna passar. Totun, lo diòde es lèu destrusit per efèit eslit.

Dens las condicions de foncionament, las tensions lindau son egaus a 0,3 V peus diòdes de germani e de 0,7 V peus diòdes de silici[20]. L'intensitat deu corrent passant es donat per l'equacion de Shockley[21] :

Dab Vj la tension a las bòrnas dau diòde, V0 la tension termica qu'es egau a kb.T/e (sia 26 mV a 20 °C), n un factor de qualitat dau diòde generaument comprés enter 1 e 2 e I0 una constanta aperada « corrent de saturacion » que despend deu compausant.

La resisténcia intèrna deu diòde entraina egaument ua dissipacion d'energia per efèit Joule. Totun, los diòdes non pòden pas resistir a ua temperatura tròp hauta. Atau, existeish ua poténcia maximau d'utilizacion. En delà, lo diòde risca de cremar[22].

Principi de foncionament

[modificar | modificar lo còdi]
Esquèma simplificat d'una joncion P-N.
Article detalhat: Joncion P-N.

Lo foncionament d'un diòde es basat sus ua joncion P-N, es a díser sus la joncion de dus materiaus semiconductors dopats positivament e negativament[23]. La partida dopada negativament deu cristau tien un excès d'electrons e la partida dopada positivament ua ua manca. Au nivèu de la joncion, los atòmes dopats N pèrden un electron e vaden ions positius. Lo fenomèn contrari a lòc dens la partida P. Com aqueths ions son fixes, aqueras transformacions crean ua barrèra opausada au passatge deu corrent, aperada zòna de deplecion, qu'es caracterizada per ua diferéncia de potenciau :

  • si ua tension positiva es aplicada deu costat dopat negativament e ua tension negativa deu costat dopat positivament, los electrons son atirats cap au costat dopat negativament. Los electrons son donc mensh disponibles tà passar la zòna de deplecion. La barrèra de potenciau aumenta, çò qu'explica l'abséncia de passatge de corrent dens lo sens indirècte deu diòde.
  • si ua tension positiva es aplicada deu costat P e negativa deu costat N, los electrons son dirigits cap tà la zòna de deplecion. Si la tension es superiora a la diferéncia de potenciau de la barrèra, los electrons pòden sautar la barrèra, çò qu'explica la conduccion deu corrent dens lo sens dirècte dau diòde.

Autas familhas de diòdes

[modificar | modificar lo còdi]

Diòde Schottky

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Diòde Schottky.

Lo diòde Schottky es constituïda d'ua joncion metau-semiconductor en plaça d'ua joncion P-N classic[24]. Aquò permet d'abaishar la tension lindau enter 0,15 e 0,45 V e de diminuïr la durada de commutacion enter l'estat passant e l'estat blocat. Aqueth tipe de diòde es donc plan utilizat entà protegir los transistors en limitant la tension e en empachant la saturacion. La pèrta d'energia per efèit Joule es tanben mensh importanta. Totun, son mei fragiles que los diòdes abituaus (tension de clacatge mei febla, horca de temperatura mei febla, etc.).

Diòde Zener

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Diòde Zener.

Lo diòde Zener es un diòde dab un dopatge mei important qu'un diòde convencionau. Dens lo sens dirècte, lo son foncionament es quasi identic a un diòde ordinari[25][26]. Totun, es tanben capabla de foncionar dens lo sens indirècte. En efèit, en delà d'ua tension lindau aperada tension de Zener, permet lo passatge d'un corrent shens riscar la destruccion[27]. Existeish ua larja gamma de modèles prepausant tensions de Zener compresas enter 2 e 300 V[28]. Aqueths diòdes son generaument utilizats entà descrestar ondas e descalar o regular tensions[29].

Diòde Transil

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Diòde Transil.

Lo diòde Transil[30] es un diòde de supression de tensions transitòrias, tensions generaument presentas a l'alumatge d'un circuit e que pòden aténher valors plan superioras a las valors de foncionament normaus[31]. Lo son principi es similar aus diòdes Zener mes lo son mòde de defalhiment principau es lo cortcircuit[32]. Atau, pendent l'establiment d'un regime estacionari dens un circuit, lo diòde permet l'evacuacion deus corrents tròp importants cap a la tèrra. Puish, pendent lo foncionament normau, blòca las hueitas cap a l'exterior si si lo son lindau non es pas atenhut : lo corrent passa alavetz normaument cap a la rèsta deu circuit.

Diòde electroluminescent

[modificar | modificar lo còdi]
Eclairage realizat dab diòdes electroluminescents.
Article detalhat: Diòde electroluminescent.

Lo diòde electroluminescent es un dispositiu optoelectronic capable d'eméter ua lutz o ua radiacion infraroja, monocromatica o policromatica, quan un corrent electric passa dens lo sens dirècte. Aqueth fenomèn a lòc principaument dens la partida dopada positivament. Los electrons i arriban entà comolar las lacunas electronicas, mas aucupan orbitalas atomicas hautas, energeticament cargadas. La desexcitacion d'aqueths atòms, per transicion deus electrons cap a d'orbitalas mei establas, es acompanhada de l'emission d'un foton, a l'origina de la luminescéncia[33]. Despuish los ans 2000, aqueths diòdes son plan utilizats entà remplaçar los esclairatges tradicionaus a basa d'ampolas[34].

Diòde PIN

[modificar | modificar lo còdi]

Cas generau

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Diòde PIN.

Un diòde PIN, de l'anglés Positive Intrinsic Negative diode, es un diòde constituït d'ua zòna non dopada, dita zòna intrinsèca I, intercalada enter las duas zònas dopadas P e N. Dens lo sens dirècte, la zòna I aumenta la resisténcia deu diòde au passatge deu corrent, mes aquera resisténcia es variabla e diminueish dab l'intensitat. Atau, lo diòde PIN es un diòde d'impedància variabla, controlada per l'intensitat, çò que permet de l'utilizar com redreçaire de tensions hòrtas o com atténuateur variabla. Dens lo sens indirècte, lo diòde a lo comportament d'un condensator de febla valor, çò que permet de l'utilizar com commutator rapide, en particular sus sistèmas hautas frequéncias[35][36] .

Diòde lasèr

[modificar | modificar lo còdi]
Diòde lasèr en foncionament.
Article detalhat: Diòde lasèr.

Lo diòde lasèr un tipe de diòde PIN qu'emet ua lutz monocromatica coerenta, es a díser un lasèr. Lo miei intrinsèc es la region activa e los electrons e las lacunas electronicas deus mieis N e P son utilizats peu pompatge[37]. Dab los fotodiòdes e los fototransistors, lo diòde lasèr es un compausant essenciau deus legidors e gravaires de disques optics. Uei, los diòdes lasèr son la hont de lasèrs la mei venuda dens lo monde[38][39].

Fotodiòde

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Fotodiòde.

Un fotodiòde es un compausant electronic avent la capacitat de captar un arrajòu deu maine optic e d'ac transformar en senhau electric. Lo son principi de foncionament es basat sus la liberacion d'electrons per un materiau après ua absorcion de fotons.

Diòdes ancians

[modificar | modificar lo còdi]

Diòde d'efèit tunèl

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Diòde d'efèit tunèl.

Un diòde d'efèit tunèl (ò diòde Esaky) es un diòde constituït de dus partidas N e P iperdopadas[40]. La multiplicacion deus portaires entraïna l'aparicion d'un corrent gràcias au trespassatge qüantic de la barrèra de potenciau per efèit tunèl. Un tau diòde que's compòrta com un diòde de tension de Zener nulla. Aqueths diòdes èran utilizats dens circuits necessitant un temps de commutacion plan brèus (dinc a 5 GHz). La produccion es plan limitada pr'amor que las aplicacions son raras per aqueth tipe de diòde.

Diòde de vueit

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Diòde de vueit.

Lo diòde de vueit es un tube electronic utilizat com diòde a la debuta deu sègle XX. Es compausat d'un catòde emetedor d'electrons, d'un filament de tungstèn alimentat per un corrent electric de baisha tension e d'un anòde situat a l'entorn deu catòde. Aqueths diòdes son dispositius obsolets que son enqüèra utilizats entà reparar d'aparelhs ràdio ancians[41].

Aplicacions deus diòdes

[modificar | modificar lo còdi]

En electronica

[modificar | modificar lo còdi]

Los diòdes an aplicacions nombrosas en electronica. En seria, dens un circuit, pòden servir entà redreçar ua tension, es a díser convertir un corrent alternatiu en un corrent continú, entà protegir un circuit alimentat en corrent continú contra ua error de brancament en empachant la circulacion deu corrent dens lo maishant sens e entà detectar la valor cresta o l'envolòpa d'ua modulacion pendent ua transmission de modulacion d'amplitud[42][43][44]. Dens un circuit en parallèl, los diòdes permeten de restituïr ua compausanta continua per la transposicion d'un senhau electric, de regular ua tension simpla o ua tension de referéncia e de realizar montatges protectors contra las subertensions[44][45][46]. Enfin, diòdes montats en seria e en parallèl permeten de constituïr un montatge multiplicator de tensions[47].

En electrotecnica

[modificar | modificar lo còdi]
Article detalhat: Redreçaire.

Los diòdes son un dipòle de basa de l'electronica de poténcia. En corrent alternatiu, pòden estar utilizadas entà diminuïr la poténcia hornida per l'alimentacion a un receptor. En efèit, en suprimint ua alternança, permeten de dividir la poténcia transmesa per dus[48]. Los diòdes son tanben un compausant centrau deus montatges redreçaires destinats a produsir un corrent continú a partir d'un corrent alternatiu[49][50]. Per exemple, es lo cas deu pont de diòdes (o pont de Graetz) qu'es un montatge de quate diòdes permetent de redreçar un corrent alternatiu monofasat.

En esclairatge

[modificar | modificar lo còdi]

Los diòdes electroluminescents emetent ua color blanca que pòt activar substàncias quimicas entà produsir colors mei variadas. Necessitant ua quantitat d'energia febla entà foncionar, aqueths esclairatges an ua larja gamma d'aplicacions (esclairatge public[51], lutz de veïcule, ecrans, ampolas domesticas[52], etc.).

Annèx

[modificar | modificar lo còdi]

Ligams intèrnes

[modificar | modificar lo còdi]

Bibliografia

[modificar | modificar lo còdi]
  • (fr) J. C. Duez, « Utilisation élémentaire des diodes », dins Électronique appliquée 1 – 1re F2, Hachette, París, coll. « Classiques Hachette », 1972, pp. 63-90.
  • (fr) Christophe François, Génie électrique - Cours complet illustré - Les grandes fonctions de la chaîne d’information - IUT, BTS, CPGE (TSI et ATS), écoles d’ingénieurs, Ellipses, 2016.
  • (fr) Bogdan Grabowski, Fonctions de l'électronique, Dunod, París, 1980, pp. 9-24.
  • (fr) Bogdan Grabowski, Composants de l'électronique, Dunod, París, 1982, pp. 155-181.
  • (fr) Marcel Mounic, Électronique – Redressement, première partie – Procédés de calculs – Redressement monophasé et polyphasé à commutation naturelle (diodes), París, Fouchet, 1969.
  • (en) W. G. Pfann e W. van Roosbroek, « Radioactive and Photoelectric p‐n Junction Power Sources », Journal of Applied Physics, vol. 25, n° 11, novembre de 1954, pp. 1422-1434.
  • (en) William Shockley, « The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors », The Bell System Technical Journal, vol. 28, n° 3, julhet de 1949, pp. 435-489.
  • (fr) Libero Zuppiroli e Daniel Schlaepfer, Lumières du futur, Presses polytechniques et universitaires romandes, 2011.

Nòtas e referéncias

[modificar | modificar lo còdi]
  1. ↑ Lo fenomèn estó en realitat descobèrt en 1853 per lo Francés Edmond Becquerel (1820-1891) mes la soa publicacion estó oblidada.
  2. ↑ (de) F. Braun, « Ueber die Stromleitung durch Schwefelmetalle », Annalen der Physik und Chemie, vol. 153, n° 4, 1874, pp. 556-563.
  3. ↑ (fr) Marie-Cécile Alvarez-Hérault, Victor Gouin, Trinidad Chardin-Segui, Alain Malot, Jonathan Coignard, Bertrand Raison e Jérôme Coulet, Planification des réseaux électriques de distribution. Évolution des méthodes et outils numériques pour la transition énergétique, Iste editions, 2022, p. 15.
  4. ↑ (fr) Jean-Claude Heudin, Créatures artificielles (Les). Des automates aux mondes virtuels, Éditions Odile Jacob, 2008, p. 95.
  5. ↑ (en) G. Pearson e W. Brattain, « History of Semiconductor Research », Proceedings of the IRE, vol. 43, n° 12,‎ 1955, pp. 1794–1806.
  6. ↑ (en) Brevet estatunidenc US836531A, Means for receiving intelligence communicated by electric waves, 30 d'aost de 1906.
  7. ↑ (en) M. Riordan e L. Hoddeson, « The origins of the pn junction », IEEE Spectrum, junh de 1997, pp. 46-51.
  8. ↑ (en) C. M. Zener, Elasticity and anelasticity of metals, Chicago, University of Chicago Press, 1948.
  9. ↑ (en) Linden T. Harrison, Current Sources and Voltage References. A Design Reference for Electronics Engineers, Elsevier Science, 2005, p. 363.
  10. ↑ (en) G. W. A. Dummer, Electronic Inventions and Discoveries: Electronics from Its Earliest Beginnings to the Present Day, Elsevier, 3a edicion, 2013, p. 137.
  11. ↑ (en) Leo Esaki, « New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions », Physical Review, vol. 109, n° 2, 1958, pp. 603-604.
  12. ↑ (fr) Nicolas Poussin, Caractérisation du rendu des couleurs des nouvelles sources : les diodes électroluminescentes (LED), tèsi, Conservatoire national des arts et métiers, 2009.
  13. ↑ (fr) Pierre Mayé, Aide-mémoire. Composants électroniques, Dunod, París, 6a edicion, 2021, p. 152.
  14. ↑ La tension lindau es sovent notada VF dens los documents deus fabricants de diòde (per l'anglés forward).
  15. ↑ L'analogia idraulica considèra que l'electricitat es assimilabla a un liquide circulant dens ua conduita.
  16. ↑ (fr) Jean-François Pochon, Mémoire Professionnel. Electricité et Analogie Hydraulique, Institut Suisse de Pédagogie pour la Formation Professionnelle, Centre Professionnel du Nord Vaudois, junh de 2003, p. 42.
  17. ↑ (en) Santiram Kal, Basic electronics. Devices, circuits and IT fundamentals, PHI Learning, 2009, p. 33.
  18. ↑ 18,0 et 18,1 (fr) Yves Granjon, Bruno Estibals e Serge Weber, Le cours d'électronique, Dunod, 3a edicion, 2023, p. 77.
  19. ↑ (fr) Yves Granjon, Bruno Estibals e Serge Weber, Le cours d'électronique, Dunod, 3a edicion, 2023, p. 76.
  20. ↑ (fr) Albert Paul Malvino e David J. Bates, Principes d'électronique. Cours et exercices corrigés, Dunod, 9a edicion, 2021, p. 55.
  21. ↑ (en) Allan R. Hambley, Electrical Engineering. Principles and Applications, partida 1, Pearson/Prentice Hall, 2005, p. 446.
  22. ↑ (fr) Yves Granjon, Bruno Estibals e Serge Weber, Le cours d'électronique, Dunod, 3a edicion, 2023, p. 80.
  23. ↑ (fr) Francis Lévy, Physique et technologie des semiconducteurs, Presses polytechniques et universitaires romandes, 1995, p. 171.
  24. ↑ (fr) Christophe François, Génie électrique - Cours complet illustré - Les grandes fonctions de la chaîne d’information - IUT, BTS, CPGE (TSI et ATS), écoles d’ingénieurs, Ellipses, 2016, p. 60.
  25. ↑ (en) H. M. Rosenberg, The Solid State, Oxford University Press, 1988, p. 172.
  26. ↑ (en) J. R. Hook e H. E. Hall, Solid State Physics, Wiley and Sons, 1974, pp. 178-180.
  27. ↑ (fr) Christophe François, Génie électrique - Cours complet illustré - Les grandes fonctions de la chaîne d’information - IUT, BTS, CPGE (TSI et ATS), écoles d’ingénieurs, Ellipses, 2016, p. 61.
  28. ↑ (fr) Christophe François, Génie électrique - Cours complet illustré - Les grandes fonctions de la chaîne d’information - IUT, BTS, CPGE (TSI et ATS), écoles d’ingénieurs, Ellipses, 2016, p. 62.
  29. ↑ (en) Robert Diffenderfer, Electronic Devices: Systems and Applications, Thomas Delmar Learning, 2005, pp. 95–100.
  30. ↑ Transil es un nom comerciau de la companhiá STMicroelectronics mes aqueth tèrme es plan frequent dins la literatura tecnica. Los autes fabricants productors d'aqueth tipe de diòde utilizan autas apellacions com l'acronime anglés TVS (Transient Voltatge Suppressor).
  31. ↑ Lo pericle es tanben ua hont de tensions transitòrias que pòden necessitar ua proteccion basada sus diòdes Transil.
  32. ↑ (fr) Jean-Marie Dilhac e Vincent Boitier Autonomie énergétique des systèmes embarqués sans fil et sans batterie. Applications aéronautiques, ISTE Editions Limited, 2017, p. 111.
  33. ↑ (fr) Nicolas Pousset, Caractérisation du rendu des couleurs des LED, tèsi de doctorat, 2009, pp. 48-49 e 52.
  34. ↑ (fr) Libero Zuppiroli e Daniel Schlaepfer, Lumières du futur, Presses polytechniques et universitaires romandes, 2011.
  35. ↑ (de) L. Stiny, Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente, Franzis’ Verlag, 2009.
  36. ↑ (de) J. Specovius, Grundkurs Leistungselektronik: Bauelemente, Schaltungen und Systeme, Vieweg+Teubner, 2010, pp. 18–29.
  37. ↑ (en) Larry A. Coldren, Scott W. Corzine e Milan L. Mashanovitch, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, John Wiley & Sons, 2012.
  38. ↑ (en) Kathy Kincade, « Laser Marketplace 2005: Consumer applications boost laser sales 10% », Laser Focus World, vol. 41, n° 1,‎ 2005.
  39. ↑ (en) Robert V. Steele, « Diode-laser market grows at a slower rate », Laser Focus World, vol. 41, n° 2,‎ 2005.
  40. ↑ (en) D. K. Roy, Tunnelling and Negative Resistance Phenomena in Semiconductors, Elsevier Science, 2014.
  41. ↑ (en) Sungook Hong, Wireless: From Marconi's Black-box to the Audion, MIT Press, 2001.
  42. ↑ (fr) Tahar Neffati, L'Électronique de A à Z, París, Dunod, 2006, pp. 78-80.
  43. ↑ (fr) Bogdan Grabowski, Fonctions de l'électronique, París, Dunod, 1980, pp. 9-24.
  44. ↑ 44,0 et 44,1 (fr) J. C. Duez, « Utilisation élémentaire des diodes », dins Électronique appliquée 1 – 1re F2, París, Hachette, coll. « Classiques Hachette », 1972, pp. 63-90.
  45. ↑ (fr) Bogdan Grabowski, Fonctions de l'électronique, París, Dunod, 1980, pp. 13-15.
  46. ↑ (fr) Bogdan Grabowski, Fonctions de l'électronique, París, Dunod, 1980, p. 19.
  47. ↑ (fr) Bogdan Grabowski, Fonctions de l'électronique, París, Dunod, 1980, p. 18.
  48. ↑ (fr) Marcel Mounic, Électronique – Redressement, première partie – Procédés de calculs – Redressement monophasé et polyphasé à commutation naturelle (diodes), París, Fouchet, 1969, p. 71.
  49. ↑ (fr) Marcel Mounic, Électronique – Redressement, première partie – Procédés de calculs – Redressement monophasé et polyphasé à commutation naturelle (diodes), París, Fouchet, 1969, pp. 65-202.
  50. ↑ (fr) Tahar Neffati, L'Électronique de A à Z, París, Dunod, 2006, p. 254.
  51. ↑ (fr) « Éclairage led : 5 points-clés et 4 nouveautés », Le Moniteur, 5 de març de 2020.
  52. ↑ (fr) Laurent Massol, Les LED pour l'éclairage, Dunod, coll. « Technique et ingénierie », octbre de 2015.
Recuperada de « https://oc.wikipedia.org/w/index.php?title=Diòde&oldid=2458193 »